De acordo com relatórios da Coreia do Sul, uma nova geração de memória de mudança de fase para IA, capaz de controlar o calor durante o processo de computação e reduzir o consumo de energia em até 76% em comparação com os níveis atuais, foi desenvolvida com sucesso. A memória de mudança de fase utiliza a diferença de resistência de materiais em estado cristalino e amorfo para armazenar informações, sendo uma memória não volátil que possui características de alta velocidade e armazenamento de múltiplas informações em uma única célula, sendo vista como uma solução de armazenamento de próxima geração para inteligência artificial e computação em memória.
A Fundação Nacional de Pesquisa da Coreia anunciou no dia 11 de setembro que a equipe do Professor Kim Gyeong-soo, do Departamento de Engenharia Elétrica e Eletrónica da Universidade de Goryeo, conseguiu realizar uma “memória de estrutura heterogénea de mudança de fase com dupla isolação”, combinando dois materiais com características distintas para controlar gradualmente a dissipação de calor e a área de mudança de fase dentro da memória. Este resultado foi publicado online na revista académica internacional “International Journal of Extreme Manufacturing”.
Nova tecnologia de memória de mudança de fase reduz significativamente o consumo de energia
Com o aumento exponencial da quantidade de dados trazido pela inteligência artificial generativa e pelos grandes modelos de linguagem, a memória de mudança de fase tem recebido ampla atenção como uma tecnologia alternativa de armazenamento. No entanto, a memória de mudança de fase tradicional enfrenta um gargalo inerente: o calor gerado durante a gravação de dados se espalha para os arredores, desperdiçando energia e dificultando o controle preciso da área de mudança de fase. O problema é ainda mais complicado, pois materiais de baixa tensão de acionamento geralmente têm baixa resistência ao calor, enquanto materiais resistentes ao calor requerem alta tensão de acionamento, criando um conflito difícil de conciliar.
A equipe de pesquisa introduziu uma nova estrutura, na qual dois compostos de metais de transição, NiTe₂ e MoTe₂, que podem manter o estado cristalino durante o acionamento, são dispostos simultaneamente no dispositivo. O NiTe₂ atua como uma camada de condução térmica, sendo capaz de gerar e transferir calor de forma eficiente, mesmo em tensões mais baixas; o MoTe₂, por sua vez, funciona como uma camada de bloqueio térmico, inibindo a dissipação de calor para o exterior. Graças a este design, a equipe conseguiu planejar de forma autônoma o caminho de movimentação do calor dentro da memória, permitindo um controle preciso sobre a localização e a extensão da mudança de fase.
Os resultados dos experimentos mostram que esta estrutura permite que o caminho do fluxo de calor dentro da memória seja projetado conforme necessário, reduzindo o consumo de energia em 76% em comparação com as soluções existentes, ao mesmo tempo que aumenta a durabilidade do dispositivo (ou seja, o número de ciclos acionáveis) em 110%.
| Item | Especificações |
|---|---|
| Redução de consumo de energia | 76% |
| Aumento da durabilidade | 110% |