Samsung e a SK Hynix estão a avançar ativamente com o investimento em equipamentos e a atualização da linha de produção da fábrica de memória flash NAND na China, prevendo-se que as implementações relacionadas sejam concluídas até ao final do próximo ano, para responder à crescente demanda por chips de armazenamento de ponta no mercado de servidores de inteligência artificial (IA).
Investimento na transformação da linha de produção V9 NAND da Samsung em Xi’an
De acordo com relatórios da mídia sul-coreana, a Samsung Electronics iniciou, desde o primeiro semestre deste ano, um investimento na transformação da memória flash NAND do tipo V9 na linha de produção X2 em Xi’an, China. Este chip utiliza uma estrutura de células empilhadas de 280 camadas, sendo um dos produtos de armazenamento mais avançados da indústria atualmente, com uma capacidade de produção mensal prevista de 40.000 a 50.000 wafers. Recentemente, a Samsung formalizou um plano de investimento adicional, focando na aquisição de equipamentos de gravação essenciais para a fabricação de memória flash NAND de ultra-alta camada, com os pedidos de equipamentos relacionados a serem finalizados até o final deste ano.
O processo de gravação é um procedimento de fabricação que remove materiais específicos de wafers com circuitos semicondutores, exigindo a perfuração precisa de canais de transporte de carga muito profundos na estrutura do wafer. Fontes da indústria revelaram que a Samsung planeja avançar em fases a expansão da capacidade de memória flash de alta gama na China este ano e no próximo, com investimentos adicionais direcionados a começar na segunda metade do próximo ano, para garantir a produção estável do V9 NAND.
Instalação de equipamentos de atualização na fábrica da SK Hynix em Dalian
A SK Hynix também está a avançar, desde o terceiro trimestre deste ano, com o investimento em equipamentos necessários para a atualização dos produtos de memória flash NAND na sua segunda fábrica em Dalian. Informações relacionadas indicam que a instalação dos equipamentos de fabricação essenciais, incluindo máquinas de gravação, deverá começar no próximo mês, com a SK Hynix a planear continuar a ajustar e construir equipamentos na fábrica de Dalian, com o objetivo de atingir uma capacidade de produção mensal de 30.000 wafers na primeira metade do próximo ano.
| Item | Especificações |
|---|---|
| Tipo de chip | Samsung V9 NAND Flash |
| Número de camadas empilhadas | 280 camadas |
| Capacidade de produção mensal da linha X2 da Samsung em Xi’an | 40.000 a 50.000 wafers |
| Capacidade de produção mensal alvo da segunda fábrica da SK Hynix em Dalian | 30.000 wafers |
| Equipamento de processo crítico | Máquina de gravação (Etcher) |
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